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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
33
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
33
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
2910
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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