AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Pontuação geral
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    19 left arrow 32
    Por volta de 41% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.4 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.4 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    19 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    18.4 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.3 left arrow 13.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3189 left arrow 1897
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações