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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2634
3075
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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