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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2634
3143
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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