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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparar
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
16.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2581
4084
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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