RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparar
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2581
2443
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link