RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparar
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Pontuação geral
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2581
2565
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link