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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,131.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,710.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,131.7
12.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2925
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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