RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2323
3273
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link