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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2323
3273
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
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