RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
55
Por volta de 15% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
55
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2323
2457
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link