RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
49
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2277
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link