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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2952
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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