RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2950
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link