RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,034.7
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,295.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,034.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
650
3273
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link