RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
24
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
24
Velocidade de leitura, GB/s
19.1
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3252
3045
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparações de RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link