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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
25
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
25
Velocidade de leitura, GB/s
19.1
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3252
2104
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparações de RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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