RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
34
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
34
Velocidade de leitura, GB/s
19.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3252
2830
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparações de RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link