RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
36
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2782
1891
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link