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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
49
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2782
2413
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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