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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2278
2286
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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