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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
3030
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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