RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
2984
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link