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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
2952
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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