RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Comparar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3638
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link