RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Comparar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
59
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
59
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
1968
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link