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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
2913
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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