RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
2542
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link