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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Comparar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
3575
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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