RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
2173
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link