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Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
1900
Por volta de 6.74% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
1900
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 8 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2100
2387
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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