RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2348
2271
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Comparações de RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link