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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2021
3660
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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