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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2453
2925
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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