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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
39
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2453
3536
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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