RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
28
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
28
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3305
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link