RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
49
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
49
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2534
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link