RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
28
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
28
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2382
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link