Comparação RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

17 32

Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 9.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.4 8.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3391 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns