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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparar
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
101
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
101
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2489
1382
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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