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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
76
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
76
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
1718
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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