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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2690
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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