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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
41
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
41
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2044
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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