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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
60
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
60
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2359
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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