RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Comparar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
34
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2636
2868
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparações de RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link