RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
3044
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link