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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2903
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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