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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2103
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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