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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2558
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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