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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
3447
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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