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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
16.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
3703
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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